공개한 제품은 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노(nm=10억분의 1m) 파운드리다. GAA는 전류 흐름을 조절하는 반도체 트랜지스터 구조를 개선해서 기존 핀펫 구조보다 전력 효율을 높인 기술이다. GAA 기술을 적용하면 기존 공정보다 전력은 50% 줄고, 성능은 30% 올라가고, 면적은 35% 줄어든다.

오늘(25일) 삼성전자는 화성캠퍼스에서 ‘3나노 반도체’ 출하식을 열었다. 삼성전자 경계현 대표이사는 “GAA 기술은 핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 수 있다”고 말했다.

삼성전자는 2000년대 초부터 GAA 트랜지스터 구조를 연구했다. 이후 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.

영상출처🎬: 삼성전자